AMD 展示最强 AI 加速器 MI455X：台积电 2nm 工艺、3200 亿晶体管、432GB HBM4

IT之家 7 月 24 日消息，今天（7 月 24 日）在美国旧金山召开的年度盛会 Advancing AI 2026 上，AMD 董事会主席及首席执行官苏姿丰发表主题演讲， 并公布了下一代 AI 加速器 Instinct MI455X 的更多细节。 工艺方面，Instinct MI455X GPU 拥有 3200 亿个晶体管，采用先进封装技术构建。其设计包含 4 个加速器复合芯粒（XCD），通过混合键合（hybrid bonding）堆叠在 Fabric 与缓存芯粒（FCD）之上。而 2 个 FCD 均使用台积电的 CoWoS-L 技术封装，并连接 6 个 HBM4 堆和 2 个 I/O Die。IT之家附上相关图片如下： 全新 Helios 机架级架构首次将 72 个 MI455X GPU 的显存整合进一个统一的相干域，这是 AMD 对标英伟达 NVL72 的关键一步。结合 CDNA 5 中改进的张量数据搬运单元与新增的多播读取支持，AMD 专注于提升芯片数据移动效率。 苏姿丰表示通过这种 chiplet 设计，AMD 公司在 XCD 上使用台积电最先进的 2N GAA（环绕栅极）打造，而最有效地提升功耗和性能；而 FCD 和 I/O Die 部分采用台积电的 N3P 工艺制造。 CDNA 5 架构方面，AMD 现在将 CDNA 5 加速器复杂芯片（Accelerator Complex Die）的基本构建单元称为“工作组处理器”（Work Group Processor），不再叫“计算单元”（Compute Unit）。 MI455X 的 WGPs 数量与前代 MI355